サムスンは、1GbモバイルDRAMのメモリ内に2007年に開始します
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韓国の巨大なサムスン、アメリカン·メモリーのマイクロンとの市場のリーダーは、インフィニオンとドイツの同胞ハイニックスはちょうど1GBのサイズ（128MB）とDRAMチップを開発してきたように数時間を発表しました。 携帯電話、ハンドヘルドまたはPMPかどうかを、80ナノメートル（nm）およびモバイルデバイス用の刻まれた、サムスンモバイルによるとダイナミックランダムアクセスメモリは、その主な関心はコストだけでなく、その消費量は、30のために持っている従来のチップより％低い。
1GBのメモリよりも小さい20％倍512メガバイトで構成されており、その微細な彫刻のおかげで、1GビットのモバイルDRAMは、入札〜1.5、あるいはモバイルデバイス用の2GBを提供するために、そのメーカーによると予想されています。 フラッシュメモリとDRAMを添付することもサムスンから非常に興味深いものです。
来年の第2四半期を予定し、このチップは、2007年の多くの3G携帯電話に同行する必要があります。
ソース： PCimpact
